Le memorie oggetto di questo test sono state fornite dalla Micron Technology Inc,  ovvero la divisone commerciale della Crucial, una delle più famose aziende del mondo per la produzione di chip DRAM: si tratta delle Ballistix  DDR2 PC2-8000. Gli esperti ed appassionati del settore sanno già che le memorie di

Per chi comunque gradisce anche un tocco estetico, secondo il vecchio detto che “anche l’occhio vuole la sua parte”, per questa serie di memorie è stata prodotta anche la linea “Ballistix Tracer” che, alle prestazioni estreme, uniscono  l’effetto “scenografico” dato dai led  saldati direttamente sul PCB dei moduli.

Lo scopo di questo test è verificare se anche le prestazioni di questa serie di memorie soddisfano le aspettative di chi sul mercato cerca prodotti estremi e al contempo affidabili, sottoponendo le memorie stesse a dure prove.

Le memori ci vengono fornite nel blister di cartone tipico della Crucial

Trattandosi di memorie indicate per gli utenti più esigenti in fatto di prestazioni le memorie sono dotate di dissipatore passivo per favorire lo smaltimento del calore prodotto.

Il dissipatore è in alluminio di colore  giallo-arancio, accoppiato tramite clip di ritenzione e un adesivo termico a contatto sui chip.

Il PCB usato è a 6 strati e di colore nero il che, in contrasto con i dissipatori giallo-arancio, crea un abbinamento di colori vistoso e accattivante.

Le caratteristiche dichiarate dal costruttore sono riassunte nella seguente tabella:

Ciascun modulo di memoria è costruito con l’utilizzo di 8 chip per lato aventi densità 64Mbitx8 (8Gbit=1GB);  per questi moduli sono utilizzati chip DDR2 Micron D9 GMH che dopo un attento processo di selezione consentono di raggiungere i timings 5-5-5-15 a DDR2-1000 MHz o PC 8000 con tensione di  2,20 volt.

Il dato di targa che balza subito all’occhio è il generoso voltaggio di alimentazione che è ben al di sopra di quello indicato dallo standard JEDEC per le DDR2 (1.8 volt), ma si tratta comunque si una tensione che la maggior parte delle schede madri in commercio sarà in grado di fornire.

Questa strategia, adottata da tempo da tutti i maggiori costruttori, consente di commercializzare kit di RAM al top della gamma, composti da chip selezionati e con ottime prestazioni, chip che sono in grado di lavorare tranquillamente con  valori fuori specifica.

In passato abbiamo visto che con kit aventi dati di targa pari a 2.2 volt,  incrementando il voltaggio erogato fino a 2.4-2.5 volt,  si potevano facilmente superare i dati di targa garantiti dal costruttore, potendo impostare frequenze più elevate e timings più aggressivi. Anche questo kit, come tutti quelli basati su IC Micron D9, rispetta le regole e  consente di aumentare le prestazioni all’aumentare del voltaggio.

 Passiamo adesso ai test, fiduciosi sul fatto di ottenere risultati interessanti.

Sistema di prova e metodologia dei test

Per i test è stato utilizzato un sistema con scheda madre ASUS COMMANDO con chipset Intel 965 e  processore Xeon 3060, in modo di avere la possibilità di spingere al massimo le memorie senza incorrere in eventuali limitazioni imposte dal sistema stesso.

Come sistema operativo è stato usato Windows XP con SP2,  aggiornato con le ultime patches e senza particolari ottimizzazioni.

In sintesi:

Verranno realizzati due gruppi di test che sono stati progettati per rispondere alle seguenti filosofie:

-    un primo gruppo di test verrà fatto sottoponendo le memorie a una serie di applicativi di benchmarking mirati a testarne le performance generali.

Durante questi test rimarrà inizialmente inalterata la frequenza di funzionamento della CPU, lasciando fisso il FSB a 266 MHz, e utilizzando i moltiplicatori della memoria. In questo modo si avrà un test esaustivo delle memorie a frequenze di funzionamento DDR2 di 533/667/800/1067 che non vengono influenzate dalla variazione della frequenza di funzionamento della CPU

In un secondo tempo sono stati eseguiti test  a frequenza DDR2 1200,  alzando il FSB a 300 MHz, poiché non era possibile con i moltiplicatori standard arrivare a tale frequenza di lavoro per le memorie. Tutte le impostazioni sono state eseguite modificando i parametri del bios ed eseguendo l’avvio del sistema con detti valori.

Il secondo gruppo di test invece è stato eseguito applicando due voltaggi differenti 2.40 v. e 2,60v . E’ stato utilizzato il programma SuperPI a 1 M per testare la stabilità minima e lo stesso programma a 32M per verificare una stabilità più duratura.

In questo secondo caso si agisce sui moltiplicatori della memoria e sulla frequenza del FSB allo scopo di trovare le massime frequenze di utilizzo per i due benchmarking al variare delle frequenze, portando i timings ai valori più bassi possibile. I moltiplicatori delle memorie sono stati impostati da bios scegliendo il più alto valore che consenta il boot a FSB 266 MHz, con timings delle memorie assegnati. La frequenza base di partenza del FSB è stata successivamente variata da windows, tramite l’applicativo clockgen e sono state ricercate le massime frequenze raggiungibili con test di stabilità tramite SuperPI 1M e SuperPI 32M.

Le prove sono state fatte volutamente utilizzando una scheda madre senza vmod e con raffreddamento a liquido e quindi sono replicabili da chiunque senza l’utilizzo di particolari accorgimenti e/o sistemi di raffreddamento estremi oppure booster esterni per dare più volt alle memorie.

Benchmark Sintetici

Lasciando inalterata la frequenza di funzionamento standard della CPU (Xeon 3060  9x266=2.40GHz) le memorie sono fatte funzionare a DDR2 533/667/800/1067 (1200 Mhz con FSB 300 Mhz) impostando i timings più bassi possibile alle varie frequenze di test e variando da bios solo i moltiplicatori delle memorie. Il voltaggio applicato è stato quello nominale a cui sono riferiti i timings di funzionamento standard delle memorie, vale a dire 2.20 v. In questo modo è stato possibile verificare come le performance delle memorie scalano all’aumentare delle frequenze di funzionamento.

Con questa tipologia di benchmarck possiamo notare come alzando la frequenza di lavoro delle ram, anche usando timings molto conservativi, riusciamo ad avere una maggior banda passante e di conseguenza risultati migliori nel vari test.

La performance generali delle memorie sono molto buone considerando che, dal funzionamento DDR2-533 MHz a DDR2-1200 MHz, si hanno incrementi della banda, misurati dai vari applicativi di benchmarking, che si attestano intorno al 20%. Questo si traduce, in termini di potenza di calcolo puro, in un decremento del 10% del tempo di calcolo del impiegato da SuperPI 2M. Quindi, facendo una relazione empirica, per ogni 2 punti percentuali di aumento di banda, si ha un decremento di un punto percentuale del tempo di calcolo del SuperPI (relazione del tutto empirica e non sappiamo quanto estensibile in termini di regola generale)

Test Overclock

Ricordiamo che il voltaggio di default per queste memorie  è di 2,20v, ma dato che i chip D9 sopportano anche voltaggi superiori senza particolari problemi di surriscaldamento, abbiamo eseguito i test applicando due voltaggi diversi. Abbiamo applicato prima 2,40v per simulare  una condizione di uso quotidiano da parte di appassionati di overclock o prestazioni pure, poi abbiamo applicato 2.60 v per un utilizzo da benchmark e per un’analisi del comportamento delle memorie, con verifica di eventuale miglioramento delle prestazioni all’incremento del voltaggio. Anticipiamo che al di sopra di questo voltaggio si ha un peggioramento delle prestazioni.

Le prove riportate nel grafico successivo sono ottenute partendo da bios con FSB pari a 266 MHz e moltiplicatore delle memorie FSB:RAM=1:1, quindi partendo da bios con DDR2-533 per entrambi i voltaggi di prova.

Le prove riportate nel grafico successivo sono ottenute partendo da bios con FSB pari a 266 MHz e moltiplicatore delle memorie FSB:RAM=4:5 quindi partendo da bios con DDR2-667 per entrambi i voltaggi di prova.

Le prove riportate nel grafico successivo sono ottenute partendo da bios con FSB pari a 266 MHz e moltiplicatore delle memorie FSB:RAM=2:3 quindi partendo da bios con DDR2-800 per entrambi i voltaggi di prova.

Le prove riportate nel grafico successivo sono ottenute partendo da bios con FSB pari a 266 MHz e moltiplicatore delle memorie FSB:RAM=1:2 quindi partendo da bios con DDR2-1066 per entrambi i voltaggi di prova.

Le prove riportate nel grafico successivo sono ottenute partendo da bios con FSB pari a 300 MHz e moltiplicatore delle memorie FSB:RAM=1:2 quindi partendo da bios con DDR2-1200 per entrambi i voltaggi di prova.

Si può vedere che le memorie dimostrano delle prestazioni eccellenti su tutto il range delle frequenze con timings che ci ricordano quelli tipici dei migliori banchi di memoria DDR2.

Le memorie sono in grado di reggere in buona stabilità (superPI 32M) timings molto bassi come 3-2-2-4 fino a frequenze DDR2-632 MHz con 2.40v e addirittura DDR2-666 Mhz con 2.65 v.

Inoltre reggono in buona stabilità timings 3-3-3-4 fino a DDR2-848 con soli 2.40v reali da windows. Alzando il voltaggio fino a 2.65v, mantenendo i timings,  non abbiamo riscontrato miglioramenti

Piena stabilità con  timings  4-4-3-4  e  2.4v  a DDR2-1072 Mhz e con 2.65v si è potuti arrivare a DDR2-1144 Mhz

Con i timing 4-4-4-4 si è ottenuto un ottimo DDR2-1164 con 2.4v e con i 2.60 v si sono superati i 1200 Mhz.

Con timings 5-5-5-15 si hanno ulteriori incrementi di frequenza fino a superare i 1200 Mhz DDR-2 in piena stabilità. Con questi timings i miglioramenti ottenuti aumentando il  voltaggio a 2.60v sono stati molto limitati

Naturalmente sconsigliamo agli utenti meno esperti di usare voltaggi così elevati, e raccomandiamo sempre e comunque di usare una ventolina 8x8 anche undervoltata @5volts per dissipare meglio il calore prodotto da questi moduli.

Comportamento del chip all'incremento del voltaggio

Con questo test vogliamo mettere in evidenza la variazione della frequenza di funzionamento in relazione al voltaggio erogato ai moduli.

I test sono stati effettuati mantenendo costanti i timings in particolare impostando (4-4-4-4) timing molto usati con il chipset 965.

Il test è stato effettuato usando il programma SuperPI 1 M.

Come possiamo evincere dal grafico, vediamo che con 2,2 v possiamo chiudere S-pi ad oltre 1100 Mhz DDR2, quindi oltre 100 Mhz in più del valore in targa (1000 Mhz, e con timings decisamente più spinti), tutto questo è indice di ottima qualità e selezione dei chip.

Successivamente alzando il voltaggio vediamo che incrementano le prestazioni in modo abbastanza lineare fino a raggiungere il picco con voltaggio di 2,60 V, dove questo kit esprime il massimo potenziale in termini di frequenza raggiunta.

Aumentando ulteriormente il voltaggio possiamo notare un decadimento di prestazioni, causato sia dall’elevato calore prodotto dai moduli, sia dai chip D9 GMH che mediamente sopportano voltaggi inferiori rispetto ai chip D9 GKX, che invece danno elevate prestazioni proprio a voltaggi superiori a 2,6V.

Conclusioni

Prestazioni:                            

Rapporto Qualità/Prezzo:    

Giudizio Complessivo:          

Le prove sono state fatte con dei componenti assolutamente stock (compresi  i test di overclock a 2.60 ) quindi  alla portata di tutti gli utilizzatori.

Le memorie hanno dimostrato di essere un ottimo compromesso tra prestazioni e prezzo di acquisto;  esprimono il loro più grande potenziale con voltaggi medio-elevati (2,4-2,6v)  e timings 4-4-4-4 dove garantiscono frequenze elevate e di conseguenza prestazioni di assoluto rilievo.

Rilassando ulteriormente i timing, impostando 5-5-5-15 (timing di fabbrica), sono in grado di funzionare a DDR2-1236 MHz in maniera  del tutto stabile con 2,4v garantendo un aumento di frequenza e performance di oltre il 20 % rispetto ai dati dichiarati in targa e tutto questo con un  aumento del voltaggio inferiore al 10 % (da 2,2@2,4 v).

Dopo ore di test a 2.60 v non è stato rilevato alcun problema di surriscaldamento dei moduli, indice di un ottima efficienza dei dissipatori.

Il  prezzo di commercializzazione di queste memorie  si aggira sui 350-400 € , quindi allineato con quello della maggior parte di altri kit che dichiarano equivalenti valori di targa e hanno simili prestazioni.

Uno dei punti di forza di queste RAM è la possibilità di fornire prestazioni eccellenti con voltaggi bassi, quindi senza necessariamente dover ricorrere a schede madri particolari, in grado di fornire voltaggi elevati.

Altri punti a favore sono il sistema di dissipazione che permette, anche a 2,60v, di mantenere le temperature dei chip a livelli bassi  e il sistema EPP che ottimizza gli alpha timing e quindi le prestazioni con i vari chipset installa ti sulle schede madri.

Per concludere questo kit di memoria è consigliato a chi ha voglia di divertirsi anche con “soli” 2,4v, ma anche a tutti coloro che vogliono avere dei sistemi ad alte prestazioni, sia per i benchmark sia per l’uso quotidiano, sfruttando i pregi di questi chip D9 GMH che si comportano egregiamente anche con voltaggi non troppo spinti ed hanno  valori di targa tra i più alti del mercato (frequenza garantita 1000 Mhz) pur mantenendo un prezzo molto competitivo.

Ringraziamo Crucial per aver fornito le memorie oggetto della recensione.

 Valerio Pavani